收藏本站
NTP60N06L, NTB60N06L
in the accompanying graph (Figure 12). Maximum energy at
currents below rated continuous I D can safely be assumed to
equal the values indicated.
SAFE OPERATING AREA
1000
500
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
10 m s
400
I D = 55 A
100
300
10
100 m s
1 ms
200
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
10 ms
dc
100
1
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
0
25
50 75 100 125
150
175
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
0.1
0.05
0.02
P (pk)
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
0.01
0.01
SINGLE PULSE
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R q JC (t)
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1.0
10
t, TIME ( m s)
Figure 13. Thermal Response
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
http://onsemi.com
6
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTP65N02RG MOSFET N-CH 25V 7.6A TO220AB
NTP75N03-006 MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
NTP75N03L09G MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
NTP75N03RG MOSFET N-CH 25V 9.7A TO220AB
NTP75N06G MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
NTP75N06L MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
NTP75N06 MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
NTP90N02G MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB
相关代理商/技术参数
NTP6410AN 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 76 A, 13 mΩ
NTP6410ANG 功能描述:MOSFET NFET TO220 100V 76A 13MOH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTP6411AN 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 72 A, 14 mΩ
NTP6411ANG 功能描述:MOSFET NFET TO220 100V 72A 14MOH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTP6412AN 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 58 A, 18.2 mΩ
NTP6412ANG 功能描述:MOSFET NFET TO220 100V 72A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTP6413AN 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 m
NTP6413ANG 功能描述:MOSFET NFET TO220 100V 42A 28MOH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube